[new] 접합 다이오드의 特性 보고서
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작성일 19-07-21 11:55
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-intrinsic semiconductor: 도핑이 안된 상태
-extrinsic semiconductor: 도핑이 된 상태
Intrinsic semiconductor의 경우 electron concentra…(skip)
다.
2. 접합 다이오드의 전압-전류 특성(特性)을 실험적으로 측정(測定) 하고 이를 그래프로 도시한다.
반도체는 도핑의 상태에 따라 intrinsic semiconductor와 extrinsic semiconductor로 구분할 수 있다아 특성(特性)은 다음과 같다.
접합 다이오드의 特性 보고서
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레포트/공학기술
순서
접합 다이오드의 特性 보고서
전자회로 설계 및 실험
이름 :
학번 :
실험title
① 접합 다이오드의 특성(特性)
실험目標(목표)
1. 순방향 바이어스와 역방향 바이어스가 접합 다이오드의 전류에 미치는 effect을 측정(測定) 한다.
2. 반도체는 전력 소비가 적고, 열의 방사 또한 적다.
2. 반도체는 전력 소비가 적고, 열의 방사 또한 적다. 반도체는 예열 시간이 필요 없으며 전력을 인가하면 바로 동작한다.
3. 저항계(ohmmeter)로 접합 다이오드를 시험한다.
3. 저항계(ohmmeter)로 접합 다이오드를 시험한다. 반도체는 예열 시간이 필요 없으며 전력을 인가하면 바로 동작한다.
이때 electron의 수를 증가시킴으로써 전도도를 증가시키는 불순물을 donor라고 부르며 이것으로 도핑한 실리콘을 N형 실리콘, hole을 증가시키는 불순물을 acceptor라 부르며 이것으로 도핑한 실리콘을 P형 실리콘이라고 부른다.
반도체 재료와 불순물
전기 전도도가 매...
전자회로 설계 및 실험
이름 :
학번 :
실험title
① 접합 다이오드의 특성(特性)
실험目標(목표)
1. 순방향 바이어스와 역방향 바이어스가 접합 다이오드의 전류에 미치는 effect을 측정(測定) 한다.
기초 理論
반도체
반도체는 그 비저항값이 도체와 절연체 사이에 있는 고체이다.
1. 반도체는 고체소자이므로 외부 충격에 강하다.
3. 반도체는 외부 環境 조건에 덜 민감하고 튼튼하다.
기초 理論
반도체
반도체는 그 비저항값이 도체와 절연체 사이에 있는 고체이다.
즉, Major carrier가 electron이면 N형, hole이면 P형이다. 반도체의 예로는 transistor(트랜지스터) , 접합 다이오드, 지너 다이오드, 터널 다이오드, 집접 회로, 금속 정류기 등을 들 수 있다아 그리고 많은 전자제품에서 사용된다
advantage(장점) 으로는 다음과 같다.
1. 반도체는 고체소자이므로 외부 충격에 강하다.
반도체 재료와 불순물
전기 전도도가 매우 낮은 실리콘을에 불순물(impurity)를 도핑(doping)하여 반도체 원소의 원자내 전자 결합구조를 alteration(변화) 시켜 전류에 기여하는 캐리어를 제공하여 반도체의 전기 전도도를 증가시킨다.
2. 접합 다이오드의 전압-전류 특성(特性)을 실험적으로 측정(測定) 하고 이를 그래프로 도시한다.
3. 반도체는 외부 環境 조건에 덜 민감하고 튼튼하다. 반도체의 예로는 transistor(트랜지스터) , 접합 다이오드, 지너 다이오드, 터널 다이오드, 집접 회로, 금속 정류기 등을 들 수 있다아 그리고 많은 전자제품에서 사용된다
advantage(장점) 으로는 다음과 같다.
