반공설계
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작성일 19-07-21 19:18본문
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REPORT
보고서 작성 서약서
1. 나는 타학생의 보고서를 복사(Copy)하지 않았습니다.
나는 보고서 작성시 위법 행위를 하지 않고
“명지인”으로서 나의 명예를 지킬 것을 약속합니다.
2. 나는 타학생의 보고서를 인터넷(Internet)에서 download하여 대체하지 않았습니다.
3. 나는 타인에게 보고서 제출 전에 보고서를 보여주지 않았습니다.
과 목 : 반도체공학
과 제 명 : 설계 프로젝트
담당교수 : 조 일 환 교수님
학 과 : 전자공학과
학 년 : 2, 3
학 번 :
이 름 : (인)
제 출 일 : 2xxx. 12. 15
전자공학심화program
설계 조건
- BSIM3 model 이용(TOX, NCH, ETA0(subthreshold DIBL coefficent))을 바꿔 가면서 아래의 조건을 만족시키는 값을 구하고 이유를 설명(說明)하라.
- Channel langth = 200nm, Channel width = 200nm, nMOS
- Vg = 2V, Vd = 1V 일 때
S.S : 75~77mV/dec, DIBL : 38~40mV/V
(DIBL을 구할 때 Vd는 0.1~1.0V, Vt는 Constant Current법(Id = 1E-6)에서 구할 것)
- Vg = 3V, Vd = 3V 일 때 Id 1E-5
회로도
SPICE
조건 외 기본 Parameter 적용
SIMU…(省略)
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