전자工學(공학) 논리회로 experiment(실험) - Logic 연산과 Gates
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작성일 19-06-17 14:05본문
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전자工學(공학) 논리회로 experiment(실험) - Logic 연산과 Gates
레포트/공학기술
전자工學(공학) 논리회로 experiment(실험) - Logic 연산과 Gates
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Logic 연산과 Gates
1. Diode logic 연산
☞ 학습목표(goal)
AND, OR diode circuit 의 特性을 diode logic 연산으로 알아보자.
☞ 실험
1. AND gate
A
B
AB
5V
5V
5.15V
5V
0V
0.64V
0V
5V
0.64V
0V
0V
0.64V
2. OR gate
A
B
A+B
5V
5V
4.54V
5V
0V
4.51V
0V
5V
4.51V
0V
0V
0V
오차 및 결과
오차 : And Input에 거짓=0V가 걸리면 Output에 거짓=0V가 걸려 야하나. Diode 전압강하 특징으로 0.64V의 전위차가 생겨 C에 0.64V가 걸린다.
IC7432의 OR gate를 통해 2입력, 3입력 OR gat…(省略)
다.
결과 : 근사치로 logic회로의 특징을 갖지만 정확한 ‘0’ , ‘1’ 으로 나타나
지는 않는다. OR도 마찬가지로 Output에서 0.6V가 강하되어
나타난다.
2. IC gates
☞ 학습목표(goal)
연산이 설계되어있는 IC를 이용하여 logic연산을 확인하자
☞ 실험
3. OR gate (TTL IC 7432)
특징
OR gate 4개
OR gate 진리표
A
1
1
1
1
0
0
0
0
B
1
1
0
0
1
1
0
0
C
1
0
1
0
1
0
1
0
L1
1
1
1
1
1
1
0
0
L2
1
1
1
1
1
1
1
0
오차 및 결과
오차 : 실험 중 GND에 연결하지 않아도 신호를 주지 않으면 0V가 걸리는 줄 알았는데 공기 중에서도 신호를 입력한 효율가 나타났다.
결과 : OR gate는 입력신호 중 진실이 있으면 결과값이 진실이다.