반도체 다이오드 property(특성)
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작성일 19-07-11 04:37
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정상적인 P의 원자는 5개의 원자가 전자를 가지고 있으며, 이중 4개만이 결정 구성에 쓰여지고 1개의 여분의 전자가 남게 되어 결정에 전위를 걸어주면 비교적 자유로이 이동하게 된다된다. 특히 P(인)이나 기타 V족 원소의 미량을 순수한 Ge의 용융상태에 첨가시켜 천천히 냉각시키면 결정에는 P원자가 산재하게 된다된다. III족 원소는 3개의 원자가 전자를 소유하고 있기 때문에 결정 내에 속박된 Ga원자는 이웃 4개의 Ge의 원자 중 3개만 결합하고 1개의 결합수는 비어 있게 되어 결정격자에 hole이라는 것을 형성한다. 이와 같이 V족의 불순물이 첨가된 반도체를 n(negative)형 반도체라 하며 이러한 결정에서 전류는 음전하의 이동으로 구성된다된다. 이들 P원자는 결정에 얽매어 있기 때문에 전류로서 나타나지 못한다. 순 바이어스와 같이 전압을 걸어줄 때 P쪽에 +를 N쪽에 전압을 걸어주는 경우를 순 바이어스 전압을 건다고 하고, …(drop)
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실험결과/전기전자
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반도체 다이오드 property(특성)
다. 그리하여 그 결정은 도체가 되며 첨가된 불순물은 전기저항을 상당히 감소시키는 역할을 하고 있따 결정 내의 P원자는 각각 1개의 전자를 잃어 양이온이 된다된다.
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설명
반도체 다이오드 특성(特性)
1조
시험일시
1. 實驗(실험)목적
p n 접합형 반도체의 정특성(特性)을 측정(測定) 하고 정류작용을 이해한다. 이와 같은 반도체를 p(positive)형 반도체라 한다.
이와 반면에 Ga(갈륨)과 같은 III족의 원소를 첨가하여 만들어진 결정은 전기적으로 아주 다른 특성(特性)을 갖게 될 것이다.
구조
기호
역 바이어스
순 바이어스
이와 같이 n형 반도체와 p형 반도체를 접합시켜 놓은 것이 반도체 다이오드이다.
2. 實驗(실험)원리
Ge(게르마늄)과 Si(실리콘)은 IV족 원소로서 이들 원소의 각 원자는 이웃 4원자와 4개의 전자를 공유하는 결정 상태에 있따 이들 전자는 결합력이 강해 순수한 Ge 나 Si의 결정은 아주 큰 저항을 갖고 있따 이 결정에 불순물이 들어있어 일반적으로 저항이 감소한다. p-n 접합 다이오드의 동작 원리는 위 그림에 표시하였다.
