[mems공학]웨이퍼제조및공정
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[mems공학]웨이퍼제조및공정
레포트/공학기술
설명
Sand
Arc furnace
Metallurgical
Silicon
Czochralski growth
Fluidized
bed
Electronic grade Silicon
CVD
(Chemical vapor deposition)
Single crystal Si ingot(boule)
Crystal growth
잉곳
모래(SiO2)와 활성탈을 furnace에서 용해시켜 reaction response 유도함
SiC + SiO2 → Si + CO↑ + SiO↑
이렇게 해서 만들어진 규소의 순도는 98%임 (이 규소를 금속등급 규소, Metallugical grade Silicon(MGS)라 함.)
응용 : 합금도금에 이용함.
이 규소를 다시 파쇄한 뒤 HCl을 주입하여 reaction response시킨다. 이번에 다룰 내용은 웨이퍼를 만들어 내는 과정인 재료산업을 주로 다루고자 한다.
응용분야 : 전자소자로 응용됨.
그러사, 순도는 유지하면서 단결정으로 만들어 주기위해 단결정 ...
Sand
Arc furnace
Metallurgical
Silicon
Czochralski growth
Fluidized
bed
Electronic grade Silicon
CVD
(Chemical vapor deposition)
Single crystal Si ingot(boule)
Crystal growth
잉곳
모래(SiO2)와 활성탈을 furnace에서 용해시켜 reaction response 유도함
SiC + SiO2 → Si + CO↑ + SiO↑
이렇게 해서 만들어진 규소의 순도는 98%임 (이 규소를 금속등급 규소, Metallugical grade Silicon(MGS)라 함.)
응용 : 합금도금에 이용함.
이 규소를 다시 파쇄한 뒤 HCl을 주입하여 reaction response시킨다.
Si + HCl →SiHCl3 + H2↑
이렇게 해서 100% 순도의 다결정 Egs가 만들어진다.
Si + HCl →SiHCl3 + H2↑
이렇게 해서 100% 순도의 다결정 Egs가 만들어진다.
응용분야 : 전자소자로 응용됨.
그러사, 순도는 유지하면서 단결정으로 만들어 주기위해 단결정 성장을 함.
CVD 공정을 이용해, 기상과 기상을 reaction response시켜 고상의 Si를 얻음. SiHCl3 + H2 → Si + 3HCl↑
(SiHCl3를 H2와 함께 증류시키면, 나가면서 reaction response하여 고상상태의 Si만 남는다. 현재 …(skip)
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다.)
단결정 성장방법에는 보통 2가지 있음.
→ Czochralski, Floating Zone growth.
분리계수(k)와 인장속도 (v)의 개념(槪念)이해가 요구됨
단결정 실리콘 잉곳, 규소봉 생성됨
grind ingot
Slice
만들어진 잉곳을 연마하여 자른다
Single Crystal Wafer
Lap, etching,
Polishing
Wafer
Ⅰ. Wafer Preparation
: 반도체 제조공정은 크게 재료산업과 소자산업으로 나눌 수 있다 재료산업은 웨이퍼를 만드는 것이고 소자산업은 웨이퍼를 가공하여 표면위에 집적회로를 만들어내는 과정을 의미한다.
